伽马射线辐照对硅光电二极管性能的影响

摘要：

研究了伽马()射线辐照对星上定标用硅光电二极管性能的影响。使用硅光电二极管分别接受20 krad(Si)、35 krad(Si)、50 krad(Si)总剂量的射线辐照，对比了器件在不同辐照剂量下暗电流及光谱响应度的变化。结果显示在35 krad(Si)以下剂量照射下，硅光电二极管暗电流及光谱响应度均未发现明显的变化，在50 krad(Si)剂量照射下，参试样品出现暗电流增加的现象，但该变化在定标器应用过程中带来的影响可以忽略。试验结果表明，参试的硅光电二极管在空间辐照环境下具有良好的稳定性及可靠性，可以作为在轨定标器可见波段探测单元备选器件。

关键词：伽马射线辐照、硅光电二极管、暗电流、光谱响应度

所属期刊栏目：45

分类号：O432(光学)

资助基金：中国科学院重点项目KGFZD-125-13-006

在线出版日期：2016-05-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共1页

页码：0320001-1-0320001-5