势垒高度对GaAs/AlxGa1-xAs QWIP光谱特性的影响

摘要：

为了确定束缚态到准束缚态工作模式QWIP响应波长与势垒高度关系,采用金属有机物化学气相沉积法生长制备势垒高度不同GaAs/AlxGa1-xAs QWIP样品,采用傅里叶光谱仪对样品进行77 K液氮温度光谱测试.结果显示1#,2#样品峰值响应波长与据薛定谔方程得到峰值波长误差为15.6%, 4.6%.结果表明:引起量子阱中子带间距离逐渐扩大与峰值响应波长蓝移的根本原因是势垒高度的增加.高分辨透射扫描电镜实验结果表明量子阱材料生长过程精度控制不够及AlGaAs与GaAs晶格不匹配是造成1#样品误差较大的主要原因.说明调节势垒高度可实现QWIP峰值波长微调的目的.

关键词：量子阱红外探测器、高分辨透射扫描电镜、GaAs/AlxGa1-xAs、峰值波长

所属期刊栏目：44

分类号：TN215(光电子技术、激光技术)

资助基金：兵器预研基金项目62201070821;总装光电专用40405030104;陕西省重点实验室开放基金ZSKJ201301;西安工业大学校长开放基金XAGDXJJ1401;重点院长基金13GDYJZ01

在线出版日期：2015-11-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：2995-2999