面阵电荷耦合器件错位成像的建模与仿真

摘要：

为了定量研究面阵电荷耦合器件(CCD)错位成像技术图像质量的提高以及CCD像元填充因子对图像质量的影响,建立了仿真不同像元填充因子的面阵CCD错位成像的数学模型.以Matlab为平台,不考虑噪声的干扰,对ISO12233标准分辨率测试卡子图像进行了仿真,结果表明,CCD像元填充因子为100％时,与普通成像模式相比,对角错位、四点错位成像模式图像的灰度平均梯度分别提高了2.9970、3.4136,拉普拉斯能量分别提高了0.5676、0.7478,且CCD像元填充因子为其他值时,相较于普通成像模式,对角错位、四点错位成像模式图像的GMG和EOL均得到提高;采用四点错位成像模式时,与填充因子为100％的面阵CCD相比,填充因子为69％、44％、25％的面阵CCD四点错位模式图像的灰度平均梯度分别提高了1.4330、3.3373、5.153 2,拉普拉斯能量分别提高了0.638 0、1.7044、3.1968,且采用其他成像模式时,填充因子为100％、69％、44％、25％的图像的GMG和EOL均不断提高.研究表明,面阵CCD错位成像技术能够提高图像质量,且四点错位成像模式图像质量优于对角错位成像模式;在满足信噪比指标要求的前提下,对于面阵CCD同一成像模式,像元填充因子越小,图像质量越高.

关键词：面阵电荷耦合器件错位成像、仿真模型、填充因子、灰度平均梯度、拉普拉斯能量

所属期刊栏目：44

分类号：TN386.5(半导体技术)

资助基金：国家863高技术研究发展计划863-2-5-1-13B

在线出版日期：2015-11-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：2767-2773