GaAs/Al0.3Ga0.7As量子阱红外探测器光谱特性研究

摘要：

采用金属有机物化学气相沉积法(MOCVD)生长GaAs/Al0.3Ga0.7As量子阱材料，制备300μm×300μm台面，内电极压焊点面积为20μm×20μm，外电极压焊点面积为80μm×80μm单元量子阱器件两种。利用傅里叶光谱仪对1#，2#样品进行77K液氮温度光谱响应测试。实验结果显示1#，2#样品峰值响应波长分别为8.43μm，8.32μm，与根据薛定谔方程得到器件理论峰值波长8.5μm间误差分别为1.0%，2.1%。实验结果说明MOCVD技术可以满足QWIP生长制备工艺要求，且器件电极压焊点位置与面积大小对器件峰值波长影响不大，而对峰值电流有一定影响。

关键词：GaAs/Al0.3Ga0.7As、量子阱红外探测器、金属有机物化学气相沉积法、光谱特性

分类号：TN215(光电子技术、激光技术)

资助基金：兵器预研基金项目62201070821；总装光电专用40405030104；陕西省重点实验室开放基金ZSKJ201301；西北工业大学校长开放基金XAGDXJJ1401；重点院长基金13GDYJZ01

在线出版日期：2015-09-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：2305-2308