商用Flash器件在空间应用中温变规律的实验研究

摘要：

分析了工业级Flash存储器件应用于空间电子产品时应考虑的温变规律和机理，并在-35~105℃的温度条件下对韩国三星公司生产的大容量Flash存储器件K9××G08U×D系列进行了温循试验和高温步进应力试验，以评估其空间应用的可行性。试验结果显示：这一系列存储器在温度变化的情况下，电性能参数会发生规律性变化，其中页编程时间随温度的升高线性增大，105℃比-35℃时页编程时间增加15%；块擦除时间在低温条件下明显增大。在-35℃低温条件下，块擦除时间比常温条件高出72%，在105℃高温条件下，块擦除时间比常温条件高出10%。试验表明Flash K9××G08U×D系列存储器能够在-35~105℃的环境下工作，器件可正常擦写读，坏块没有增加。页编程时间随着温度的增加而增加，但是，仍然在器件的最大页编程时间之内。但是，在低温环境下，擦除时间会明显增加，在空间应用时需为擦除操作预留足够的时间。

关键词：空间电子、Flash存储器、温变规律、实验Flash信号

分类号：TP333(计算技术、计算机技术)

在线出版日期：2015-08-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1539-1543