InAs/GaSb超晶格探测器台面工艺研究

摘要：

InAs/GaSb SLs探测器台面刻蚀常用的工艺有干法刻蚀和湿法刻蚀。研究了三种等离子刻蚀气体(Cl2基, Ar基和CH4基)对超晶格的刻蚀效果,SEM结果表明,CH4基组分能够得到更加平整的表面形貌和更少的腐蚀坑；之后采用湿法腐蚀工艺,用于消除干法刻蚀带来的刻蚀损伤,分别研究了酒石酸系和磷酸系两种腐蚀溶液的去损伤效果,结果表明,磷酸系腐蚀液的去损伤效果更好,且腐蚀速率更加稳定。采用优化的台面工艺制备了InAs/GaSb SLs探测器,其I- V特性曲线表明二极管具有较低的暗电流,其77 K时动态阻抗R0A =1.98×104Ωcm2。

关键词：InAs/GaSb 超晶格、干法刻蚀、湿法腐蚀、台面

分类号：TN304(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金61205056

在线出版日期：2015-04-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：951-954