一种高带宽NP型CMOS APD的研究

摘要：

提出了一种高带宽的硅基CMOS雪崩光电二极管(APD)器件。该器件在N阱/P衬底基本结构的基础上，增加一个N型深掩埋层，并在该掩埋层单独加上电压，以减小载流子的输运时间。通过理论分析确定了器件的结构参数，通过器件性能的仿真分析对相关参数进行了优化设计。仿真结果表明：采用标准0.18μm CMOS工艺，所设计的APD器件的窗口尺寸大小为20μm×20μm，在反向偏压为16.3 V时，器件的雪崩增益为20，响应度为0.47 A/W，3 dB带宽为8.6 GHz。

关键词：雪崩光电二极管、CMOS APD、带宽

分类号：TN722(基本电子电路)

资助基金：重庆市电子产业发展基金

在线出版日期：2015-03-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：699-704