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10.3969/j.issn.1007-2276.2015.02.054

一种高带宽NP型CMOS APD的研究

引用
提出了一种高带宽的硅基CMOS雪崩光电二极管(APD)器件。该器件在N阱/P衬底基本结构的基础上,增加一个N型深掩埋层,并在该掩埋层单独加上电压,以减小载流子的输运时间。通过理论分析确定了器件的结构参数,通过器件性能的仿真分析对相关参数进行了优化设计。仿真结果表明:采用标准0.18μm CMOS工艺,所设计的APD器件的窗口尺寸大小为20μm×20μm,在反向偏压为16.3 V时,器件的雪崩增益为20,响应度为0.47 A/W,3 dB带宽为8.6 GHz。

雪崩光电二极管、CMOS APD、带宽

TN722(基本电子电路)

重庆市电子产业发展基金

2015-03-30(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共6页

699-704

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1007-2276

12-1261/TN

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