InSb红外焦平面阵列探测器湿法刻蚀

摘要：

随着大规模InSb红外焦平面( FPA )器件的发展，探测器制备的传统湿法刻蚀工艺已越来越难以满足新工艺要求。介绍了一种用于制备InSb红外焦平面探测器的新湿法刻蚀工艺：使用适当比例的柠檬酸/H2O2系刻蚀剂代替现有乳酸/硝酸系刻蚀剂，同时采用N2气泡搅拌刻蚀装置来辅助刻蚀。通过实验对比分析表明，新刻蚀工艺可以很好地解决原湿法刻蚀横向刻蚀和下切效应，提高了刻蚀均匀性和平整度，减小了表面粗糙度，并明显降低了InSb器件的漏电流，提高了电性能。

关键词：InSb焦平面阵列、湿法刻蚀、柠檬酸/H2O2系刻蚀剂、N2搅拌

分类号：TN215(光电子技术、激光技术)

资助基金：中航工业集团公司技术创新基金2011D01406

在线出版日期：2014-10-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：2805-2809