百瓦级多芯片半导体激光器稳态热分析

摘要：

半导体激光器在各领域的广泛应用要求其输出功率不断提高，使得多芯片集成封装大功率半导体激光器的发展成为主流之一。针对典型的12只芯片以阶梯形式封装的百瓦级激光器，利用ANSYS软件进行了稳态热分析，模拟得出芯片有源区温度及其热耦合温升与热沉结构尺寸变化的关系曲线，分析了该激光器热特性，进而提出一种使芯片散热较好的热沉结构。

关键词：百瓦级半导体激光器、ANSYS、有源区、热耦合、热沉

分类号：TN248.4(光电子技术、激光技术)

资助基金：国家自然科学基金61177019，61176048；吉林省科技发展计划20120361

在线出版日期：2014-08-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：1438-1443