高温退火对G aAs光阴极表面状态的影响

摘要：

利用XPS分析了GaAs光阴极高温退火、激活前后表面组分的变化，结合光阴极退火过程中通过四级质谱仪获取的CO2、H2O、O、As、Cs等分压曲线，比较、讨论了两次退火机理的差异。提出第二次加热的目的不仅在于清洁光阴极表面，更重要的是促使第一次激活在光阴极表面形成的偶极层向更稳定的结构转化，Cs2O偶极子在高温下与GaAs本底反应生成了可在光阴极表面稳定存在的GaAs-O-Cs偶极子，形成主要由键合强的GaAs(Zn)--Cs+、GaAs-O-Cs偶极子及靠范德瓦尔斯力附着在光阴极表面的Cs2O偶极子构成的偶极层。根据这一结论，解释了光阴极两次激活过程中光电流变化规律的差异。对理解光阴极激活及表面光电发射模型具有重要意义。

关键词：GaAs光阴极、表面、高温退火、XPS

分类号：TN223(光电子技术、激光技术)

资助基金：微光夜视技术重点实验室项目J20110106

在线出版日期：2014-05-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：1226-1229