GaN基雪崩光电二极管及其研究进展

摘要：

越来越多的民用与军事对高灵敏度紫外探测的需求促进了GaN基雪崩光电二极管(APD)的快速发展。雪崩光电二极管工作在高反偏电压状态，器件内部载流子在高场下发生碰撞离化，从而使探测信号产生增益。首先对GaN基雪崩光电二极管的研究进展进行了回顾，然后重点报道了器件的增益最大可达3×105，介绍了本征层厚度与器件暗电流的关系，简单介绍了正在组建的基于相敏探测的交流增益测试系统，并研究了过剩噪声与调制频率之间的关系，发现在低频波段(30~2 kHz)，过剩噪声呈现1/f噪声特性。最后，对盖革模式的雪崩光电二极管的研究进展及应用前景进行了简单介绍。

关键词：雪崩光电二极管、增益、暗电流、噪声、盖革模式

分类号：TN23(光电子技术、激光技术)

资助基金：国家自然科学基金60907048；上海市自然科学基金10ZR1434500

在线出版日期：2014-05-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：1215-1221