高功率980nm非对称宽波导半导体激光器设计

摘要：

设计了980 nm非对称宽波导InGaAs/InGaAsP量子阱激光器，并在结构中插入电流阻挡层，有效地阻止载流子的泄露。用LASTIP软件对980 nm非对称宽波导量子阱激光器进行理论模拟，与传统的980 nm对称宽波导量子阱激光器相比，非对称宽波导量子阱激光器波导和量子阱之间有更小的能带差，非对称宽波导结构具有更低的阈值电流，更高的斜效率以及更低的阻抗，所以带有电流阻挡层的980 nm非对称宽波导InGaAs/InGaAsP量子阱激光器有更高的光电转换效率和输出功率。

关键词：非对称宽波导、激光器、高功率、电流阻挡层

分类号：TN248.4(光电子技术、激光技术)

资助基金：吉林省科技发展计划20111810

在线出版日期：2014-05-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1094-1098