电场辅助离子迁移过程中离子迁移深度模型

摘要：

考虑了焦耳热导致的玻璃基片温度升高效应，建立了玻璃基片上电场辅助离子迁移(FAIM)过程中离子迁移深度的计算模型。该模型首先通过求解玻璃基片的热平衡方程获得玻璃基片温度随时间的变化规律，在此基础上获得流过玻璃基片的电流密度以及电荷通量密度随时间的变化规律。最后利用电荷通量密度与离子迁移深度的正比关系计算离子迁移深度。利用该模型获得的模拟结果与实验结果的比较显示，在集成光学器件制作的实验参数下，利用该模型所获得的离子迁移深度变化的规律与相应的实验结果接近。分析表明，由于模型中考虑到了焦耳热导致的玻璃基片温度的升高，该模型用于研究FAIM过程中的迁移深度具有更好的普适性。

关键词：电场辅助离子迁移、玻璃、焦耳热效应

分类号：TN252(光电子技术、激光技术)

资助基金：国家自然科学基金60977043；浙江省自然科学基金Y1100665；中兴通信产学研项目

在线出版日期：2014-04-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：818-822