10.3969/j.issn.1007-2276.2014.02.028
中红外激光准相位匹配GaAs晶体的制备工艺
极化方向周期排列的GaAs通过准相位匹配方式能够实现高功率CO2激光器倍频,利用晶片键合技术对GaAs极化方向反转堆叠的制备工艺和键合性能进行研究,采用氢离子轰击的方法去除GaAs表面氧化物,提高光学性能,超高真空中预键合减少界面微气孔密度,退火处理增加键合力,实现了双层GaAs的可靠键合,两层 GaAs成为一块单晶结构的整体,利用键合技术获得了大通光孔径、低光学损耗的周期性结构GaAs晶体,为实现高功率CO2激光器倍频提供了途径。
键合、非线性光学、准相位匹配、倍频、GaAs晶体
O437.1(光学)
北京市自然科学基金4112005
2014-03-20(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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