近红外单光子读取电路

摘要：

近红外单光子读取电路读取盖革模式下的雪崩光电二极管雪崩信号。采用两个ps级的可编程ECL延时芯片，获得可调的门控脉冲，控制雪崩光电二极管(APD)死时间和淬灭雪崩信号，同时减少后脉冲的影响。详细介绍了门控脉冲产生模块、死时间控制模块以及雪崩信号提取电路。主要采用延迟鉴别、边沿锁存的方法提取雪崩光电二极管雪崩信号。在整个实验过程中，雪崩光电二极管工作温度为-55℃，脉冲宽度10 ns，门控频率1 MHz和10 MHz，激光器激光波长1550 nm，单光子探测器是PGA-400InGaAs雪崩光电二极管。

关键词：近红外、读取电路、铟镓砷雪崩光电二极管、盖革模式

分类号：O439;TP11;TP13(光学)

资助基金：国家自然科学基金61274024；国家自然科学青年科学基金40804032

在线出版日期：2014-03-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：464-468