硅基APD器件的工艺及性能仿真分析

摘要：

硅基APD的性能取决于其器件结构与工艺过程。文中对n+-p-π-p+外延结构的APD器件的工艺和器件性能进行了仿真分析，为硅基APD器件的设计提供了理论指导。利用Silvaco软件对APD器件的关键工艺离子注入和扩散工艺进行了仿真，确定工艺参数对杂质的掺杂深度和掺杂分布的影响。并且，对于APD器件的性能进行了分析，对电场分布、增益、量子效率、响应度等参数进行了仿真分析。仿真结果表明：在给定的器件参数条件下，所设计的APD器件的增益为100时，响应度峰值为55 A/W左右，在600~900 nm范围内具有较高响应度，峰值波长在810 nm。

关键词：硅基雪崩二极管(Si-APD)、二维工艺仿真、器件仿真

分类号：TN364(半导体技术)

资助基金：重庆市电子产业发展基金

在线出版日期：2014-02-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：140-144