InAs/GaSb二类超晶格红外探测材料的ICP刻蚀

摘要：

分别采用Cl2/Ar和SiCl4/Ar作为刻蚀气体对InAs/GaSb二类超晶格红外探测材料进行ICP (Inductively Couple Plasma)刻蚀.结果表明,两种刻蚀气体的刻蚀深度与刻蚀时间都呈线性关系;在2 mTorr气压下,RF功率为50 W,SiCl4流量为3 sccm,Ar 为9 sccm 时,刻蚀速率为100 nm/min,且与材料的掺杂浓度无关.实验还表明,SiCl4/Ar 作为刻蚀气体时,Ar流量在很大范围内对刻蚀速率没用明显影响,但 Ar 的流量越大,刻蚀的均匀性越好;用 Cl2/Ar 作为刻蚀气体时,刻蚀速率也是100 nm/min,但 Ar 流量对刻蚀速率有影响:当 Ar 流量小于3 sccm 时,刻蚀速率随 Ar 流量的减小而明显降低.

关键词：ICP刻蚀、InAs/GaSb、二类超晶格、SiCl4/Ar、Cl2/Ar

分类号：TN215(光电子技术、激光技术)

在线出版日期：2013-04-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：433-437