10.3969/j.issn.1007-2276.2013.02.027
热处理对离子束溅射SiO2薄膜结构特性的影响分析
采用离子束溅射沉积技术,在熔融石英基底上制备了SiO2薄膜,研究了热处理对离子束溅射SiO2薄膜结构特性的影响.热处理温度对表面粗糙度影响较大,低温热处理可降低表面粗糙度,高温热处理则增大表面粗糙度,选择合适的热处理温度,可以使表面粗糙度几乎不变.采用X射线衍射仪(XRD)物相分析方法,分析了热处理对离子束溅射SiO2薄膜的无定形结构特性的影响,当退火温度为550益,离子束溅射SiO2薄膜的短程有序范围最大、最近邻原子平均距离最小,与熔融石英基底很接近,结构稳定.实验结果表明,采用合适的热处理温度,能大大改善离子束溅射SiO2薄膜的结构特性.
SiO2薄膜、热处理、表面粗糙度、XRD、无定形结构
TB34;O434(工程材料学)
2013-04-22(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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418-422