HgCdTe/CdTe/Si(211)异质结构的应变和应力分布计算

摘要：

计算了HgCdTe/CdTe/Si(211)异质结构的应变和应力分布,发现对于生长方向为不具有对称特性的[211]晶向,由于弹性模量的各向异性,平行表面的两个晶向方向[1-1-1]和[01-1]的应变和应力分布存在差异,并且二者的曲率半径也具有相应特性.对于Si衬底厚度为500 μm,CdTe缓冲层厚度为10 μm,HgCdTe层厚度为10μm的异质结构,液氮温度77 K时衬底与外延层的应变均为负值,外延层和衬底的最大应力值均在界面处,外延层中均为张应力,Si衬底在靠近界面处为压应力,远离界面逐渐过渡为张应力,存在一个应力为零的中性轴位置.

关键词：HgCdTe、Si、异质结构、应变、应力分布

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分类号：O47(半导体物理学)

资助基金：国家自然科学基金61050007;福建省教育厅科技项目JA10249;中国科学院红外成像材料与器件重点实验室开放课题IIMDKFJJ-11-04

在线出版日期：2013-01-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：2594-2599