非制冷红外焦平面微桥形变的主要原因及其控制

摘要：

微桥是微测辐射热计阵列像元的重要部分,经微细加工工艺制成的微桥结构常常发生弯曲变形,从而严重影响器件性能.利用有限元分析方法研究了造成微桥变形的原因.结果表明,重力导致的微桥形变值仅为1.44×10-5 μm,而薄膜的本征应力导致的形变值却高达2.108 μm,与实际观测值相当.因此,本征应力是造成微桥变形的主要原因.此外,还研究了本征应力梯度导致的形变,并提出了采用在电极的表面再沉积一层SiNx薄膜的方法,使桥腿的形变值由0.587 μm明显地减小到0.271μm,有效地控制了本征应力梯度导致的桥腿变形.

关键词：微桥、形变、重力、本征应力、有限元分析

所属期刊栏目：41

分类号：TN215(光电子技术、激光技术)

资助基金：国家自然科学基金61071032;国家重点实验室开放基金KFJJ200917

在线出版日期：2013-01-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：2588-2593