含单负材料光子晶体隧穿模的偏振特性

摘要：

为探讨含磁单负材料光子晶体的偏振特性,构造了由普通材料A(SiO2)和磁单负材料B组成的(AB)3(BA)3对称型一维光子晶体.数值计算结果表明,垂直入射时,原禁带的1 907 nm处出现了一个十分尖锐的隧穿模.对TE波,入射角θ增加、B介质的介电常数εB或几何厚度减少时,禁带边缘蓝移,宽度变窄,隧穿模的透射率和半峰全宽保持不变,但其位置蓝移.上述3个参数分别变化时,TM波的透射谱及隧穿模的变化规律与TE波的相同,只是入射角增加时,TM波禁带长波边缘的蓝移量小于TE波的.隧穿模的这些偏振特性对高品质滤波器的设计具有指导意义.

关键词：光子晶体、电单负材料、偏振、隧穿模

所属期刊栏目：41

分类号：O434(光学)

资助基金：国家自然科学基金10974048;湖北省教育厅科学技术研究项目Q20122307

在线出版日期：2013-01-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：2033-2037