10.3969/j.issn.1007-2276.2012.05.020
激光光刻技术的研究与发展
光刻技术作为制备半导体器件的关键技术之一将制约着半导体行业的发展和半导体器件的性能.随着半导体工业的发展,集成电路的特征尺寸越来越小,光刻技术将面临新的挑战.分析了激光光刻技术,包括投影式光刻和激光无掩膜光刻技术的研究现状,着重介绍了极紫外光刻(EUVL)作为下一代光刻技术的发展前景和技术难点、激光无掩膜光刻技术的发展,特别是激光近场扫描光刻、激光干涉光刻、激光非线性光刻等新技术的最新进展及其在高分辨率纳米加工领域的应用前景.
投影式光刻、无掩膜光刻、发展趋势
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TN305.7(半导体技术)
国家自然科学基金60977004,50872139
2012-08-09(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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