10.3969/j.issn.1007-2276.2012.03.012
激光二极管双侧泵平板Nd:LuVO4晶体热效应
以解析热分析理论为基础,建立了平板Nd:LuVO4晶体在激光二极管阵列双侧泵抽运时的导热微分方程.通过方程求解,得到平板Nd:LuVO4晶体内部温度场分布的解析式及热形变分布.温度场和热形变场的数值模拟表明:当泵浦光平均功率Po=10W、泵浦区域为1 mm×1mm时,四组激光二极管阵列光源在三处不同位置的一维温度场、二维温度场分布和热形变量有很大差异;将三处泵浦光源位置所产生的温度分布和热形变量对比,得到了泵浦光源在位置1、2处所产生的温升和热形变量相对较小,位置3处最大.所得结论可为平板Nd:LuVO4激光器的设计及热效应消除提供理论依据.
平板Nd:LuVO4晶体、温度场、热形变场
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TN36;TN405.98+3(半导体技术)
石河子大学教育教学改革项目JG-2010-007
2012-07-23(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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