薄膜转移工艺制备的128×128规模高架桥式电阻阵

摘要：

采用新的薄膜转移工艺,成功制备了128×128规模的高架桥式电阻阵.电阻阵的单元尺寸为50μm×50 μm,占空比50％.初步测试了该高架桥电阻阵的两个基本指标,微桥的热时间常数和最高等效黑体温度,并对该电阻阵进行了成像实验.采用电学法测试单个微桥的时间常数τ约为4.5 ms,可在100 Hz下工作.将整个面阵点亮,在8～12 μm波段最高等效黑体温度达到250℃,推测在3～5 μm波段最高等效黑体温度超过300±20℃.将整个器件全部点亮并驱动到最高温度时,器件的最大功率为30W.该电阻阵可成功实现驱动显示成像.测试结果表明该高架桥式电阻阵初步满足红外景象产生器的要求.

关键词：红外景象产生器、电阻阵、薄膜转移工艺、高架桥

所属期刊栏目：41

分类号：TN383+.5(半导体技术)

资助基金：中国科学院三期知识创新前沿和前瞻性项目C2-28,C2-49

在线出版日期：2012-07-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：559-562