10.3969/j.issn.1007-2276.2012.01.002
InAs/GaSb Ⅱ类超晶格中波红外探测器
InAs/GaSbⅡ类超晶格探测器是近年来国际上发展迅速的红外探测器,其优越性表现在高量子效率和高工作温度,以及良好的均匀性和较低的暗电流密度,因而受到广泛关注.报道了InAs/GaSb超晶格中波材料的分子束外延生长和器件性能.通过优化分子束外延生长工艺,包括生长温度和快门顺序等,获得了具原子级表面平整的中波InAs/GaSb超晶格材料,X射线衍射零级峰的双晶半峰宽为28.8″,晶格失配△a/a=1.5×10-4.研制的p-i-n单元探测器在77 K温度下电流响应率达到0.48 A/W,黑体探测率为4.54×1010 cmHz1/2W,峰值探测率达到1.75×1011cmHz1/2W.
InAs/GaSb、超晶格、红外探测器、分子束外延
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TN213(光电子技术、激光技术)
国家自然科学基金61176082
2012-04-27(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
7-9,42