InAs/GaSb Ⅱ类超晶格中波红外探测器

摘要：

InAs/GaSbⅡ类超晶格探测器是近年来国际上发展迅速的红外探测器,其优越性表现在高量子效率和高工作温度,以及良好的均匀性和较低的暗电流密度,因而受到广泛关注.报道了InAs/GaSb超晶格中波材料的分子束外延生长和器件性能.通过优化分子束外延生长工艺,包括生长温度和快门顺序等,获得了具原子级表面平整的中波InAs/GaSb超晶格材料,X射线衍射零级峰的双晶半峰宽为28.8″,晶格失配△a/a=1.5×10-4.研制的p-i-n单元探测器在77 K温度下电流响应率达到0.48 A/W,黑体探测率为4.54×1010 cmHz1/2W,峰值探测率达到1.75×1011cmHz1/2W.

关键词：InAs/GaSb、超晶格、红外探测器、分子束外延

所属期刊栏目：41

分类号：TN213(光电子技术、激光技术)

资助基金：国家自然科学基金61176082

在线出版日期：2012-04-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：7-9,42