国产电阻阵列技术的发展趋势

摘要：

回顾和总结了国产电阻阵列3个发展阶段的主要技术方案、优缺点和最终结果.第一代64×64电阻阵列采用了体材料微机械加工的单晶硅薄膜微型电阻,成品率较高但与CMOS工艺不兼容、均匀性差、功耗大、占空比极低、规模小；第二代128×128和256×256电阻阵列采用了体材料微机械加工的复合薄膜微型电阻,基本解决了工艺兼容性、均匀性、功耗等方面的问题,但占空比和规模提高有限；第三代128×128复合悬浮薄膜电阻阵列采用了薄膜转移技术,占空比显著提高,功耗明显下降,该技术有望成为今后国产电阻阵列的主流制造技术,但技术成熟度有待进一步提高.最后,对国产电阻阵列未来技术发展进行了展望、分析和探讨.

关键词：半实物仿真、电阻阵列、硅各向异性腐蚀、薄膜转移

所属期刊栏目：40

分类号：TN214(光电子技术、激光技术)

资助基金：航空科学基金20060112114

在线出版日期：2012-04-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共10页

页码：2314-2322,2327