10.3969/j.issn.1007-2276.2011.06.017
808nm连续波2000W半导体激光器垂直叠阵
为了全面提高大功率半导体激光器的性能和功率,采用双面散热技术,优化了大功率半导体激光器垂直叠阵和单bar器件的热管理和热设计,使得808nm单bar半导体激光器在连续波工作模式下的功率达到100W;808nm 20bar垂直叠阵功率达到2000 W.对微通道液体制冷大功率半导体激光器叠阵和单bar半导体激光器器件的LIV特性、光谱特性、近场光斑、近场非线性效应、远场发散角、快慢轴准直后激光束的指向性做了测试和分析,并在连续波模式下对单bar 808nm微通道液体制冷半导体激光器做了寿命测试及可靠性评估分析,结果显示器件的工作性能良好.该大功率半导体激光器垂直叠阵未来的应用前景广阔.
高功率半导体激光器、垂直叠阵、微通道液体冷却、连续波
40
TN248.4;TN365(光电子技术、激光技术)
中国科学院科研装备项目YZ200844
2011-12-19(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共6页
1075-1080