二极管原理非制冷红外焦平面阵列的集成设计

摘要：

面向非制冷红外成像的低成本高性能应用,二极管原理的红外焦平面阵列的设计和工艺实现得到研究和发展.焦平面和读出电路的设计集成以及CMOS和MEMS工艺集成是此项技术的研究重点.基于SOI的二极管原理焦平面阵列在低成本的利用CMOS工艺实现大规模阵列集成方面有很大的优势.读出电路是基于标准CMOS工艺进行设计的.320×240规模的焦平面阵列利用CMOS标准工艺和MEMS工艺集成已经得到了结构实验结果.研究并测得二极管像元的正向压降的温度变化率约为-1.5mV/K.分析和实验证明了二极管原理非制冷红外焦平面阵列的设计和工艺可行性,是一项可以低成本广泛应用的红外成像技术.

关键词：焦平面阵列、红外成像、非制冷、二极管、工艺集成

所属期刊栏目：40

分类号：TN216(光电子技术、激光技术)

资助基金：国家863 计划2007AA04Z323

在线出版日期：2011-12-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：997-1000