Hg3In2Te6晶体欧姆接触及电学特性

摘要：

碲铟汞Hg3In2Te6是(In2Tes)x-(Hg3Te3)1-x(x=0.5)的化合物,被称为缺陷相化合物.为了研究In/HgInTe欧姆接触特性,首先运用热电子蒸发技术在单晶Hg3In2Te6表面形成了In/Hg3In2Te6接触,运用传输线模型(TLC)对In/Hg3In2Te6欧姆接触特性进行了分析,结果表明:In/Hg3In2Te6形成了欧姆接触,接触电阻率为6.71×10-2 Ω·cm2,粘附性好,电极质量理想,满足于欧姆电极性质的要求.并在此基础上对Hg3In2Te6材料的电学性能运用范德堡方法进行了测试,测试结果表明:Hg3In2Te6单晶在室温下的导电类型为n型,电阻率为6.16×102Ω·cm,载流子浓度为2.888×1013cm-3,载流子迁移率为350cm2(V·s).实验表明:该样品载流子浓度降低后,漏电流减小,探测器的噪声降低,从而探测器的能量分辨率得到了提高.

关键词：Hg3In2Te6、欧姆接触、传输线模型、接触电阻率、霍尔效应

所属期刊栏目：40

分类号：TN305.8;TN301.1(半导体技术)

资助基金：国际科技合作计划2004DFB03400

在线出版日期：2011-08-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：709-712