10.3969/j.issn.1007-2276.2010.06.021
正、背照射日盲型肖特基探测器
在金属有机化学汽相沉积(MOCVD)方法生长的i-Al0.45Ga0.55N/n-Al0.65Ga0.35N/AlN材料结构上,成功研制了零偏暗电流为10-13量级、峰值响应为0.02~0.03 AW-1的日盲型肖特基紫外探测器.对探测器正照射和背照射时的光谱特性的研究表明:正、背照射时器件的峰值响应大小变化不大;在短波方向,正照射时的器件由于界面层的存在,在峰值响应稍有回落后平滑响应,而背照射时的器件由于n层组分调制响应迅速下滑;在长波方向,正照射时器件在截止波长后的响应较大.
肖特基探测器、日盲型、响应光谱
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TN23(光电子技术、激光技术)
2011-04-07(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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