10.3969/j.issn.1007-2276.2010.02.005
SAGCM-APD增益影响因子分析与优化
应用二维漂移扩散模型研究具有分立吸收层、渐变层、电荷层和倍增层结构(SAGCM)的InGaAsP-InP雪崩光电探测器(APD),仿真分析了不同电荷层、倍增层厚度和掺杂浓度对电场分布、电流响应及击穿电压的影响,特别是参数变量对增益计算模型的影响,载流子传输过程的时间依赖关系和倍增层中所处位置的影响,仿真结果表明:较高掺杂浓度和较薄电荷层结构可以改变器件内部的电场分布,进而提高增益值.当入射光波长为1.55μm,光功率为500 W/m2时,光电流响应量级在10-2A;阈值电压降低到10V以下,击穿电压为42.6V时,器件倍增增益值大于100.
SAGCM-APD、雪崩光电探测器、倍增增益、电流响应、仿真分析
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TN215(光电子技术、激光技术)
科技部重大项目2006CB932802;国家自然科学基金资助项目10374095
2010-06-30(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共6页
213-217,235