SAGCM-APD增益影响因子分析与优化

摘要：

应用二维漂移扩散模型研究具有分立吸收层、渐变层、电荷层和倍增层结构(SAGCM)的InGaAsP-InP雪崩光电探测器(APD),仿真分析了不同电荷层、倍增层厚度和掺杂浓度对电场分布、电流响应及击穿电压的影响,特别是参数变量对增益计算模型的影响,载流子传输过程的时间依赖关系和倍增层中所处位置的影响,仿真结果表明:较高掺杂浓度和较薄电荷层结构可以改变器件内部的电场分布,进而提高增益值.当入射光波长为1.55μm,光功率为500 W/m2时,光电流响应量级在10-2A;阈值电压降低到10V以下,击穿电压为42.6V时,器件倍增增益值大于100.

关键词：SAGCM-APD、雪崩光电探测器、倍增增益、电流响应、仿真分析

所属期刊栏目：39

分类号：TN215(光电子技术、激光技术)

资助基金：科技部重大项目2006CB932802;国家自然科学基金资助项目10374095

在线出版日期：2010-06-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：213-217,235