硅全耗尽背照式光电二极管的光谱响应

摘要：

建立了一个预测硅全耗尽背照式光电二极管响应率的解析模型.分析了所加反偏压与光谱响应之间的关系,解出了硅全耗尽背照式光电二极管的响应率和器件各参数之间的关系,并根据选定参数值计算出了给定外加偏压下400～1 100 nm范围的光谱响应曲线,预测探测器光谱响应峰值在1μm,峰值响应率达到0.72 A/W.实测结果表明:器件峰值响应与预测一致,反偏压对响应率的影响与预测相同,即响应率随着反偏压的升高而增大.并且在各种反偏压下的光谱响应曲线形状与预测基本吻合,证明了建立的模型可以正确地预测器件性能.

关键词：光谱响应、全耗尽、背照式、模型

所属期刊栏目：38

分类号：TN364+.1(半导体技术)

在线出版日期：2009-04-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：87-90