高锗组分PIN锗硅光电探测器设计与模拟

摘要：

介绍了Si1-xGex合金材料在制作新型光电子器件方面的重要作用,描述了应变SiGe层的特性,包括其临界厚度与Ge组分的关系、能带变窄、折射率增加,以及应变SiGe层的亚稳态特性.设计了应变锗硅缓冲层上的高Ge组分PIN光电探测器的外延材料和结构,采用Silvaco软件分别对光电探测器的器件结构、光谱响应、响应电流及其随入射光功率的变化、器件的暗电流进行了模拟,结果显示,探测器有源区面积增大,其响应电流也增大,且暗电流比其响应电流小6～8个数量级;探测器的响应时间约为3.8x10-9s;探测器在850nm左右具有较好的光响应;这些结果都比较理想.采用L-edit软件设计了该光电探测器的结构,最后对研究结果做出总结.

关键词：光电探测器、锗硅、缓冲层、Silvaco

所属期刊栏目：37

分类号：TN364+.2(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金NSFC-60536030

在线出版日期：2008-08-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：440-443