等离子体刻蚀工艺中的OES监控技术

摘要：

采用光学发射光谱(OES)原位检测技术,对等离子体刻蚀机中的等离子体状态进行实时监控,讨论了其在故障诊断、分类、刻蚀终点的判断及控制方面的应用.实验平台为在新研发的高密度等离子体刻蚀机,采用化学气体HBr/Cl2为刻蚀气体进行多晶硅刻蚀工艺实验,实验过程中所采集的OES数据通过PCA法进行分析,得到与刻蚀过程相关的特征谱线.实验结果表明:OES技术适合于深亚微米等离子体刻蚀工艺过程的终点检测及故障诊断.最后就OES技术未来发展面临的挑战进行了讨论.

关键词：等离子体刻蚀、OES、故障诊断、终点检测

所属期刊栏目：37

分类号：TN405.98+2;TN29;TP211+6(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：国家自然科学基金资助项目60236010;重庆邮电大学博士启动基金资助项目A2006-01

在线出版日期：2008-07-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：326-329