320×256 GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器

摘要：

采用n型GaAs/AlGaAs量子阱材料,反应离子刻蚀RIE设备进行光栅、像元分割刻蚀,制备了320×256格式的长波量子阱红外探测器,像元中心距30μm,像元光敏面28μm×28μm,两像元间距2μm,达到了目前国际上lk×lk量子阱焦平面探测器像元间距研制水平.通过对320×256阵列上设计的陪管区进行光电性能测试,平均黑体探测率1.66×109 cm·Hz/W-1,响应率89.6 mA/W.

关键词：320×256、GaAs/AlGaAs、量子阱红外探测器、黑体探测率、响应率

所属期刊栏目：37

分类号：TN362(半导体技术)

资助基金：武器装备预研基金40405030104

在线出版日期：2008-05-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：42-44,101