InGaAs/GaAs量子点红外探测器

摘要：

与量子阱红外探测器相比,量子点红外探测器具有不制作表面光栅就能在垂直入射红外光照射下工作以及工作温度更高等优势.然而,目前阻碍量子点红外探测器性能提高的技术瓶颈主要来自组装量子点较差的大小均匀性、较低的量子点密度以及垂直入射下子带跃迁吸收效率低等原因.利用分子束外延技术研究了如何从量子点材料生长和器件设计两方面来克服这些困难,并且制作了几种不同结构的InGaAs/GaAs量子点红外探测器.在77K时,这些器件在垂直入射条件下观察到了很强的光电流信号.

关键词：量子点红外探测器、垂直入射、分子束外延、光电流

所属期刊栏目：37

分类号：TN2,TN3(光电子技术、激光技术)

资助基金：航天三院科技创新基金HT3Y83582005

在线出版日期：2008-05-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：34-36,56