AlGaN/GaN异质结紫外探测器

摘要：

采用P-AlxGa1-xN/i-GaN/n-GaN异质结构成功制备了含铝组分分别为0.1和0.07的正照射可见盲紫外探测器,并分别测试了它们的伏安特性曲线和光电响应光谱.对于Al分为0.1的器件,在零偏压处出现了极低的暗电流密度,表明器件具有非常高的信噪比.高分辨率X射线衍射仪对材料的测试结果表明,高铝组分(0.1)窗口层薄膜材料的晶体质量较差,导致暗电流增大,而其窗口层的窗口选择作用则可以得到较高的响应率和较宽的响应波段.

关键词：p-i-n、GaN、光谱响应

所属期刊栏目：36

分类号：TN304.2;TN364.2(半导体技术)

资助基金：上海市科委资助项目04dg051160

在线出版日期：2008-03-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：917-919