双色量子阱红外探测器大面阵芯片的研制

摘要：

采用GaA/AlGaAs和InGaAs/AIGaAs多量子阱,研制出了双色同像素读取结构的中波/长波量子阱红外探测器及160×128元中波/长波双色多量子阱红外探测器芯片.器件的材料结构生长是采用分子束外延技术,在5.08 cm半绝缘GaAs衬底上完成的.发展了双色大面阵制备工艺,二维光栅的制备使用标准光刻和离子束刻蚀技术.在77 K时,对量子阱红外探测器测试,得到中、长波段峰值探测率分别为Dλ*=(1.61～1.90)×1010 cmHz1/2W-1和(1.54～2.67)×1010 cmHz1/2W-1.中、长波段峰值波长分别为(2.7～3.8)μm和8.3μm.

关键词：红外探测器、量子阱、双色、大面阵

所属期刊栏目：36

分类号：TN362(半导体技术)

资助基金：国家高技术研究发展计划863计划2002AA313100

在线出版日期：2008-03-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：782-784