PECVD沉积SiO2和SiNx对p-GaN的影响

摘要：

在等离子增强化学气相沉积法(PECVD)沉积SiO2和SiNx掩蔽层过程中,分解等离子体中浓度较高的H原子使Mg-受主钝化,同时在p-GaN材料表面发生反应形成浅施主特性的Nv空位.高能量离子轰击造成的材料深能级缺陷增多以及沉积形成致密的SiO2和SiNx材料,阻碍了H原子向外扩散,使H原子在Ni/Au电极与p-GaN的界面处聚集,造成p-GaN近表面附近区域Mg-H络合物密度的提高,空穴浓度急剧下降,导致Ni/Au透明电极I-V特性严重恶化.选择较低的射频功率(15 W,13.56 MHz)沉积模式,经过适当的退火,可以减小沉积SiO2过程对p-GaN的影响.

关键词：等离子增强化学气相沉积法、SiO2、SiNx、p-GaN、I-V特性

所属期刊栏目：36

分类号：TN304.055(半导体技术)

资助基金：国家科技攻关项目2003BA316A01

在线出版日期：2007-06-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：214-218