10.3969/j.issn.1007-2276.2007.02.002
外腔半导体激光器的设计与高次谐波稳频
首先讨论了半导体激光器外腔结构参量对激光连续可调范围影响的理论计算方法,给出了Littrow结构外腔半导体激光器调谐范围的计算结果.然后介绍了半导体激光器外腔结构参量的具体设计,利用该设计得到了出射激光线宽小于1 MHz、连续可调谐范围可达3 GHz的780 nm波段外腔半导体激光器.接着讨论了利用腔外饱和吸收谱的三次谐波稳频方法对半导体激光器进行稳频,优化激光频率短期稳定度的方法.最后根据该优化方法设计出稳频系统对半导体激光器进行稳频,得到了稳定度达到10-12量级的半导体激光输出.
外腔半导体激光器、连续可调范围、谐波稳频
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TN248.42(光电子技术、激光技术)
国家重点基础研究发展计划973计划2001CB309308;2005CB3724500;国家自然科学基金60490280;国家自然科学基金60271003
2007-06-04(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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