10.3969/j.issn.1007-2276.2006.z1.037
激光对PV型Hg1-xCdxTe探测器的损伤效应
研究了较大功率激光辐照对PV型Hgl-xCdxTe探测器的损伤效应.测量了损伤前后探测器的饱和信号输出,得出了pn结退化造成其性能下降的结论.根据pn结的并联电阻模型解释了损伤后探测器对背景辐射的响应率下降现象以及损伤前后激光辐照下饱和开路电压几乎相等的现象.研究了其pn结退化造成的探测器响应率、探测率等性能参数的变化,以及由于Hg原子的逃逸和扩散给器件性能带来的影响.
pn结退化、损伤、PV型Hgl-xCdxTe探测器、并联电阻模型
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TN215(光电子技术、激光技术)
2008-09-24(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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