10.3969/j.issn.1007-2276.2002.01.014
激光辐照对长波HgCdTe光导探测器电学参数的影响
对长波HgCdTe光导探测器进行了低于其永久损伤阈值的变功率激光辐照,测量辐照前后器件的电阻-温度特性,用电阻-温度特性研究材料参数的方法对实验结果进行拟合,结果表明辐照后HgCdTe探测器件的组分变大,并由此计算得到探测器性能突变后,器件的电子迁移率与电子浓度均有一定程度减小.认为这可能是由于激光辐照的热效应使N型HgCdTe光导器件的表面及体内均产生的一定的变化所致.
长波HgCdTe光导探测器、激光辐照、电阻-温度特性、拟合
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TN215(光电子技术、激光技术)
国家自然科学基金19805014
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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