X射线衍射、X射线光电子能谱对PtSi薄膜形成机理的研究

摘要：

促使物相尽可能地向Pt2Si和PtSi转化，是PtSi薄膜工艺研究中的重要工作。文中通过用X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)微观分析手段对PtSi薄膜形成物相分步观察，研究了长时间变温退火、真空退火以及真空和保护气体(N2和H2)退火等工艺条件对溅射PtSi薄膜物相形成的影响。结果表明，氢气气氛退火能提高薄膜质量；真空退火可以减少氧元素对成膜的影响。

关键词：X射线衍射、X射线光电子能谱、PtSi薄膜

所属期刊栏目：30

分类号：O484(固体物理学)

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：66-69