10.3969/j.issn.1007-2276.1999.01.015
激光作用下多量子阱混迭的热动力学分析
对InGaAs/InGaAsP多量子阱材料,根据温度场方程计算了两种激光作用下多量子阱混迭技术(PAID及PLD)的横向空间选择性,得到PAID在一般情况下的横向空间选择性为100μm量级,而PLD的理论极限为100μm.同时分析了混迭多量子阱材料的能带结构与组分扩散长度的关系,从理论上提出了低温量子阱材料与扩散长度之间的关系曲线.
InGaAs/InGaAsP多量子阱材料、量子阱混迭、扩散长度、光子集成、光电子集成
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O4(物理学)
中国科学院资助项目
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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