六方氮化硼修饰分子印迹电化学传感器检测氯氰菊酯

摘要：

以六方氮化硼(h-BN)修饰玻碳电极(GCE-BN)为基底,苯酚为功能单体,通过电聚合法成功制备了可用于水样中氯氰菊酯(CYP)快速检测的分子印迹聚合膜传感器.借助拉曼光谱仪和扫描探针显微镜表征聚合膜的物相组成和表面结构,采用恒电位诱导法洗脱模板分子,差分脉冲伏安法(DPV)评价传感器的灵敏度.结果 表明:传感器响应电流变化值(△i)与氯氰菊酯的浓度在2.0×10-8～3.0×10-7 mol/L范围内呈良好的线性关系,检出限低至8.5× 10-9 mol/L,水样加标平均回收率在96.3％～100.2％之间.传感器制备简单,检测成本低廉,兼具良好的稳定性、选择性,具有良好的应用前景.

关键词：h-BN、氯氰菊酯、苯酚、分子印迹传感器

所属期刊栏目：41

分类号：O657.1(分析化学)

资助基金：国家自然科学基金资助项目81860701;贵州省留学人员科技活动择优资助项目黔人项目资助合同2018008号;贵州省普通高等学校“绿色化学与资源环境创新团队”项目黔教合人才团队字[2015]62;2017年贵州省大学生创新创业训练计划项目201710672030

在线出版日期：2019-11-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1026-1030