膜去溶剂化进样ICP-MS法直接测定电子级高纯过氧化氢中痕量金属杂质

摘要：

用ARIDUS膜去溶剂化进样器,在ICP-MS的标准状态(STD)和冷焰状态(PS)测定电子级高纯过氧化氢中的34个痕量金属杂质,用铟作内标可补偿基体效应,方法检出限为0.1～70ng/L,加标回收率为90%～110%,长时间相对标准偏差(RSD)小于5%,ICP-MS测定结果与ICP光谱测定结果基本一致,ICP-MS提高了分析的准确性和工作效率.

关键词：电子级高纯过氧化氢、ICP-MS、痕量金属杂质、膜去溶剂化进样

所属期刊栏目：24

分类号：O657.63(分析化学)

在线出版日期：2004-01-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：208-210