空间质子直接和非直接电离引发单粒子效应的地面等效评估试验方法

摘要：

以40 nm和65 nm CMOS工艺SRAM为样品,进行质子辐照单粒子效应试验研究,以建立空间质子引起单粒子效应的地面等效评估试验方法.分别进行低能质子直接电离、高能质子核反应和重离子直接电离引起的单粒子翻转试验;根据获得的试验数据,分析讨论给出空间质子引起半导体器件单粒子效应的地面等效评估试验方法:对低能质子直接电离引起的单粒子效应,基于LET等效采用重离子进行试验;对高能质子非直接电离引起的单粒子效应,采用高能质子进行试验;根据地面质子和重离子辐照试验数据,结合空间辐射环境模型,预计由空间质子辐射引起的器件在轨单粒子翻转率.

关键词：半导体器件、空间质子、单粒子效应、单粒子翻转、辐照试验、等效性评估

所属期刊栏目：38

分类号：TN432;V416.5(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：国家自然科学基金;国家自然科学基金;国家自然科学基金;国家自然科学基金

在线出版日期：2021-07-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：351-357