MRAM的辐射效应分析及加固方法简述
回顾从首款商用磁随机存取存储器(MRAM)芯片面世以来国际上对MRAM芯片辐射效应的研究;总结MRAM总剂量电离效应和单粒子效应辐照试验研究结果,以及辐射效应导致MRAM读写错误的物理机制;分析辐射效应对磁性隧道结结构和性能的影响,并指出MRAM应当针对外围电路、存储单元晶体管和磁性隧道结等处不同类型辐射效应进行对应的抗辐射加固;最后从材料和工艺方面简要介绍MRAM加固方法.
磁随机存取存储器、磁性隧道结、辐射效应、抗辐射加固技术
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O483;TN406(固体物理学)
国家自然科学基金项目;江苏省科技计划资金项目;北京市自然科学基金项目
2021-03-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共9页
106-114
