脉冲激光诱发65nm体硅CMOS加固触发器链的单粒子翻转敏感度研究

摘要：

针对65 nm体硅CMOS工艺触发器链,利用脉冲激光研究了敏感节点间距、加固结构和测试数据类型等因素对电路的单粒子翻转效应(SEU)敏感度的影响.研究表明:敏感节点间距增大可有效提高双互锁存(dual interlocked storage cell,DICE)结构触发器链的抗SEU性能,但当敏感节点间距较大(如>4.0μm)时,间距增大的器件加固效果减弱;触发器单元中NMOS管经保护漏结构加固、PMOS管经保护环结构加固后其SEU敏感度明显降低;不同数据测试模式下触发器链的SEU敏感度不同,这可能与不同模式下单元中的敏感晶体管类型不同有关.此外,脉冲激光作为一种地面模拟手段,可有效用于确定单粒子敏感器件设计的最佳间距和验证防护效果.

关键词：单粒子翻转、脉冲激光、敏感节点间距、保护环、保护漏

所属期刊栏目：38

分类号：TN432;V416.5(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：国家自然科学基金项目;激光推进及其应用国家重点实验室开放基金项目

在线出版日期：2021-03-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：55-62