MOS电容器单粒子介质击穿导致GaN功率放大器失效分析

摘要：

为验证一款GaN功率放大器抗空间辐射效应能力,对其进行了重离子单粒子效应试验研究.被试样品是由GaN HEMT、MOS电容器和电感器等组成的混合电路.试验源为加速器产生的锗离子(Ge+13,能量205 MeV),线性能量传输(LET)值为37.4 MeV·cm2/mg.试验结果是:GaN HEMT性能未出现变化;MOS电容器发生了介质击穿失效,造成功率放大器功能失效.经验公式计算的单粒子介质击穿电压,与重离子试验结果基本吻合,得出MOS电容器单粒子介质击穿导致GaN功率放大器失效.研究表明,混合电路中无源的MOS电容器也会发生单粒子介质击穿失效,应用于空间环境时应进行单粒子效应评估.

关键词：氮化镓功率放大器、单粒子效应、重离子辐照试验、单粒子介质击穿、MOS电容器

所属期刊栏目：36

分类号：TN406(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：国家自然科学基金项目11875068,11475256

在线出版日期：2019-11-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：458-462